GaN-on-Si for power devices - 功率器件用 Si 衬底外延片 - GaN 基电子材料 - 产品中心 - LOL外围下注-英雄联盟外围下注

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GaN-on-Si for power devices 规格书下载

高耐压HEMT外延片，适用于快充等应用领域的功率器件制备

尺寸 4、6、8英寸

耐压 650V

方阻 350 ohm/sq

Details of GaN-on-Si for power devices

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